分辨率

3nm@30kV（SE），8nm@3kV（SE），4nm@30kV（BSE）

放大倍數(shù)

5倍-300000倍，可調(diào)

電子槍

預(yù)對(duì)中鎢陰極燈絲

加速電壓

0～30kV，連續(xù)可調(diào)

自動(dòng)調(diào)整功能

自動(dòng)對(duì)中、聚焦、亮度、對(duì)比度、消像散

探測(cè)器

二次電子探測(cè)器、背散射電子探測(cè)器、紅外CCD，束流測(cè)量裝置

真空系統(tǒng)

抽真空系統(tǒng)：渦輪分子泵 + 機(jī)械泵。

樣品室最高真空度優(yōu)于9X10-3Pa。

抽真空時(shí)間：≤4分鐘

樣品臺(tái)

五軸樣品臺(tái)：

行程：X=70mm,Y=50mm,Z=60mm，R=360°，T=-10°～+70°

較大樣品直徑: Ф210mm；

較大樣品高度：60mm；

驅(qū)動(dòng)方式：馬達(dá)驅(qū)動(dòng)；

樣品臺(tái)承重：2kg

其他功能：碰撞報(bào)警功能。

能譜儀

探測(cè)器：硅漂移探測(cè)器

有效晶體面積：30mm2

元素探測(cè)范圍：B(5) ~ Cf(98)

分辨率：Mn Kα≤129eV @100,000cps

較大輸入計(jì)數(shù)率   >1,000,000cps

定量分析計(jì)數(shù)率   >100,000cps

1個(gè)探測(cè)器，2個(gè)圖像通道

圖像分辨率：最大8K（可調(diào)節(jié)）

X射線掃描分辨率：最大8K

應(yīng)用定性及定量分析方法

具有圖譜采集功能

濺射儀

離子濺射儀工作原理：磁控濺射

可選靶材：金，鉑，金鈀合金，鉛，銀，銅，鉻，銻等

全自動(dòng)操作，簡(jiǎn)單易用，非常適用鎢燈絲、臺(tái)式掃描電鏡等

濺射電流自動(dòng)調(diào)整——設(shè)定濺射電流后，系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)節(jié)真空度，從而達(dá)到設(shè)定的濺射電流，調(diào)整時(shí)間＜5s，波動(dòng)范圍＜±5%；

無(wú)需按“實(shí)驗(yàn)”鍵調(diào)整濺射電流、無(wú)需操作“進(jìn)氣閥”。

真空室：φ128×100高硅硼玻璃

濺射時(shí)間自動(dòng)記憶——同類樣品一次設(shè)定即可；

參數(shù)改變自動(dòng)調(diào)整——濺射過(guò)程中可以隨時(shí)調(diào)整濺射電流和濺射時(shí)長(zhǎng)，系統(tǒng)自動(dòng)計(jì)算疊加，無(wú)需終止濺射過(guò)程；

工作完成自動(dòng)放氣；

樣品臺(tái)高度調(diào)節(jié)1秒完成；

濺射過(guò)程可以利用曲線顯示，清晰直觀。

極限真空：小于1Pa

軟硬件互鎖，防誤操作，安全可靠

濺射電流高于50mA，停止濺射過(guò)程；

真空泵工作時(shí)，系統(tǒng)無(wú)法進(jìn)行放氣操作；

鍍層均勻，導(dǎo)電性良好

選配探測(cè)器

BSE、EDS、EBSD、CL、EBIC等